Verfahren zur Herstellung eines Halbleitersubstrats mit Epitaktisch Abgeschiedener Schicht

EP4662353 Art A1 17. Dezember 2025

Anmelder: SOITEC 🇫🇷

Details

Veröffentlichungs-Nr.: EP4662353
Aktenzeichen: EP24707601
Anmeldetag: 6. Februar 2024
Veröffentlichung: 17. Dezember 2025
Rechtsraum: EP
IPC: C23C16/44C23C16/458C30B25/12

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: SOITEC
Land: 🇫🇷 Frankreich

🇫🇷 Soitec

Französischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Bernin, spezialisiert auf Silicon-on-Insulator (SOI) Substrate. Patente decken Halbleitermaterialien und Waferbondtechnik ab.

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Fachgebiete

Metallurgie & Oberflächentechnik

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