Halbleiteranordnung mit Graben-Gate und Planarem Gate und Monolithisch Integrierter Schottky-Sperrschichtdiode und Sperrschicht-Schottky-Sperrschichtdiode

EP4662713 Art A1 17. Dezember 2025

Anmelder: Huawei Digital Power Technologies Co., Ltd. 🇨🇳

Details

Veröffentlichungs-Nr.: EP4662713
Aktenzeichen: EP23730135
Anmeldetag: 9. Juni 2023
Veröffentlichung: 17. Dezember 2025
Rechtsraum: EP
IPC: H01L29/423H01L29/78

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Huawei Digital Power Technologies Co., Ltd.
Land: 🇨🇳 China

🇨🇳 Huawei

Chinesisches Technologieunternehmen mit Sitz in Shenzhen. Entwickelt Telekommunikationsinfrastruktur, Netzwerktechnik, Smartphones und weitere Unterhaltungs- und Kommunikationselektronik.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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