Substratmontierte Integrierte Struktur mit einer Ferroelektrischen Schicht mit Selektiver Polarisation und Verfahren zur Herstellung davon

EP4662989 Art A1 17. Dezember 2025

Anmelder: SOITEC 🇫🇷

Details

Veröffentlichungs-Nr.: EP4662989
Aktenzeichen: EP24701979
Anmeldetag: 29. Januar 2024
Veröffentlichung: 17. Dezember 2025
Rechtsraum: EP
IPC: H10N30/045H10N30/853

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: SOITEC
Land: 🇫🇷 Frankreich

🇫🇷 Soitec

Französischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Bernin, spezialisiert auf Silicon-on-Insulator (SOI) Substrate. Patente decken Halbleitermaterialien und Waferbondtechnik ab.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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