Verfahren zur Erzeugung einer Schwächungszone in einem Halbleitersubstrat

EP4666312 Art A1 24. Dezember 2025

Anmelder: SOITEC 🇫🇷

Details

Veröffentlichungs-Nr.: EP4666312
Aktenzeichen: EP24705175
Anmeldetag: 16. Februar 2024
Veröffentlichung: 24. Dezember 2025
Rechtsraum: EP
IPC: H01L21/02H01L21/762

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: SOITEC
Land: 🇫🇷 Frankreich

🇫🇷 Soitec

Französischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Bernin, spezialisiert auf Silicon-on-Insulator (SOI) Substrate. Patente decken Halbleitermaterialien und Waferbondtechnik ab.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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