Vertikal-Sperrschicht-Feldeffekttransistor mit einer Siliziumschicht in einer Grabenstruktur

EP4668340 Art A1 24. Dezember 2025

Anmelder: Infineon Technologies Austria AG 🇦🇹

Details

Veröffentlichungs-Nr.: EP4668340
Aktenzeichen: EP24182552
Anmeldetag: 17. Juni 2024
Veröffentlichung: 24. Dezember 2025
Rechtsraum: EP
IPC: H01L29/808H01L29/10H01L29/165

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Infineon Technologies Austria AG
Land: 🇦🇹 Österreich

🇦🇹 Infineon Technologies Austria

Österreichische Konzerngesellschaft des deutschen Halbleiterherstellers Infineon mit Sitz in Villach. Entwickelt und fertigt Halbleiterbauelemente für Automobil-, Energie- und Industrieanwendungen.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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