Verbundstruktur mit einer Monokristallinen Dünnschicht auf einem Polykristallinen Siliciumcarbidträgersubstrat und Zugehöriges Herstellungsverfahren

EP4669784 Art A1 31. Dezember 2025

Anmelder: SOITEC 🇫🇷

Details

Veröffentlichungs-Nr.: EP4669784
Aktenzeichen: EP24706687
Anmeldetag: 19. Februar 2024
Veröffentlichung: 31. Dezember 2025
Rechtsraum: EP
IPC: C23C16/01C23C16/32C23C16/44C23C16/56C30B28/14C30B29/36H01L21/02C30B33/06H01L21/18H01L21/04H01L29/16

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: SOITEC
Land: 🇫🇷 Frankreich

🇫🇷 Soitec

Französischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Bernin, spezialisiert auf Silicon-on-Insulator (SOI) Substrate. Patente decken Halbleitermaterialien und Waferbondtechnik ab.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente Metallurgie & Oberflächentechnik

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