Träger mit Ladungseinfangschicht, Verbundsubstrat mit Solch einem Träger und Zugehöriges Herstellungsverfahren
EP4670206
Art A1
31. Dezember 2025
Anmelder: SOITEC, Commissariat à l'Energie Atomique et aux Energies Alternatives 🇫🇷
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP4670206
- Aktenzeichen
- EP24703123
- Anmeldetag
- 30. Januar 2024
- Veröffentlichung
- 31. Dezember 2025
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L21/762H01L21/02
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firmen
- SOITEC
Commissariat à l'Energie Atomique et aux Energies Alternatives - Land
- 🇫🇷 Frankreich
🇫🇷
Soitec
Französischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Bernin, spezialisiert auf Silicon-on-Insulator (SOI) Substrate. Patente decken Halbleitermaterialien und Waferbondtechnik ab.
529 Patente in unserer Datenbank
🇫🇷
CEA (Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives)
Französisches staatliches Forschungsinstitut mit Sitz in Paris (Verwaltung) und Standorten wie Grenoble und Saclay. Forscht in Kernenergie, erneuerbaren Energien, Mikroelektronik, Werkstoffwissenschaften, Verteidigungstechnik und Informationstechnologien.
5.929 Patente in unserer Datenbank