Verfahren zur Herstellung eines Gehäuses auf Waferebene mit Verbesserter Leistung

EP4672306 Art A2 31. Dezember 2025

Anmelder: QORVO US, INC. 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: EP4672306
Aktenzeichen: EP25211112
Anmeldetag: 14. August 2017
Veröffentlichung: 31. Dezember 2025
Rechtsraum: EP
IPC: H01L21/60

Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firma: QORVO US, INC.
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 Qorvo US

Qorvo US ist ein US-amerikanischer Halbleiterhersteller mit Sitz in North Carolina, spezialisiert auf HF-Bauelemente für Mobilfunk und Netzwerktechnik. Das Patentportfolio konzentriert sich auf Schaltungstechnik sowie Halbleiter und elektrische Bauelemente, ergänzt um Nachrichtentechnik. Anmeldungen stammen aus den Jahren 2011 bis 2025.

418 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

Vertreten von