Halbleiterstruktur zur Herstellung von Laserdioden mit Vertikalem Resonator
EP4674013
Art A1
7. Januar 2026
Anmelder: SOITEC 🇫🇷
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP4674013
- Aktenzeichen
- EP24700464
- Anmeldetag
- 17. Januar 2024
- Veröffentlichung
- 7. Januar 2026
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01S5/02H01S5/183
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- SOITEC
- Land
- 🇫🇷 Frankreich
🇫🇷
Soitec
Französischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Bernin, spezialisiert auf Silicon-on-Insulator (SOI) Substrate. Patente decken Halbleitermaterialien und Waferbondtechnik ab.
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