Verfahren zur Herstellung eines Wachstumssubstrats, Verfahren zur Herstellung einer Epitaktischen Siliciumcarbidschicht, Wachstumssubstrat und Epitaktische Siliciumcarbidschicht

EP4679491 Art A1 14. Januar 2026

Anmelder: Hitachi Energy Ltd 🇨🇭

Details

Veröffentlichungs-Nr.: EP4679491
Aktenzeichen: EP24187045
Anmeldetag: 8. Juli 2024
Veröffentlichung: 14. Januar 2026
Rechtsraum: EP
IPC: H01L21/20

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Hitachi Energy Ltd
Land: 🇨🇭 Schweiz

🇨🇭 Hitachi Energy

Unternehmen mit Sitz in der Schweiz, hervorgegangen aus dem japanischen Hitachi-Konzern und der früheren Energiesparte von ABB. Entwickelt Technik für Stromübertragung, -verteilung und Netzautomatisierung.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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