Herstellungsverfahren für eine Halbleiterstruktur und Halbleiterstruktur
EP4682948
Art A1
21. Januar 2026
Anmelder: Changxin Memory Technologies, Inc. 🇨🇳
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP4682948
- Aktenzeichen
- EP23945738
- Anmeldetag
- 28. Dezember 2023
- Veröffentlichung
- 21. Januar 2026
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L21/764H10B12/00
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Changxin Memory Technologies, Inc.
- Land
- 🇨🇳 China
🇨🇳
Changxin Memory Technologies
Chinesischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Hefei, spezialisiert auf DRAM-Speicherchips.
2.637 Patente in unserer Datenbank
Fachgebiete
Vertreten von
-
Gulde & Partner
Gulde & Partner · Berlin