Trench-Mosfet aus Siliziumkarbid und Verfahren zu dessen Herstellung
Anmelder: Hon Hai Precision Industry Co., Ltd. 🇹🇼
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP4686340
- Aktenzeichen
- EP24212572
- Anmeldetag
- 13. November 2024
- Veröffentlichung
- 28. Januar 2026
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H10D30/01H10D30/66H10D62/10H10D62/17H10D64/27// H10D62/832
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Hon Hai Precision Industry Co., Ltd.
- Land
- 🇹🇼 Taiwan
Hon Hai Precision Industry, besser bekannt als Foxconn, ist ein taiwanischer Elektronikfertiger mit breitem Technologieportfolio. Das Patentportfolio konzentriert sich auf Halbleiterbauelemente und Software, ergänzt durch Schaltungs- und Telekommunikationstechnik. Die Titel betreffen unter anderem Trennfolien und Kathodenmaterialien für Lithium-Ionen-Batterien.
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Fachgebiete
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