Verfahren zur Herstellung eines Siliciumcarbidsubstrats

EP4690274 Art A1 11. Februar 2026

Anmelder: SOITEC 🇫🇷

Details

Veröffentlichungs-Nr.: EP4690274
Aktenzeichen: EP24716148
Anmeldetag: 28. März 2024
Veröffentlichung: 11. Februar 2026
Rechtsraum: EP
IPC: H01L21/02

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: SOITEC
Land: 🇫🇷 Frankreich

🇫🇷 Soitec

Französischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Bernin, spezialisiert auf Silicon-on-Insulator (SOI) Substrate. Patente decken Halbleitermaterialien und Waferbondtechnik ab.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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