Segmentierte Bildung einer Gate-Schnittstelle

EP4695838 Art A1 18. Februar 2026

Anmelder: Applied Materials, Inc. 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: EP4695838
Aktenzeichen: EP24789185
Anmeldetag: 4. März 2024
Veröffentlichung: 18. Februar 2026
Rechtsraum: EP
IPC: H01L21/02H01L21/324H01L21/8238

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Applied Materials, Inc.
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 Applied Materials

US-amerikanisches Technologieunternehmen mit Sitz in Santa Clara, Kalifornien. Applied Materials entwickelt Fertigungsanlagen und Prozesstechnologien für die Halbleiter-, Display- und Solarindustrie, unter anderem für Beschichtung, Ätzen und Materialabscheidung.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

Vertreten von