Verfahren zur Herstellung einer Dünnen Schicht aus Ferroelektrischem Material

EP4702825 Art A1 4. März 2026

Anmelder: SOITEC 🇫🇷

Details

Veröffentlichungs-Nr.: EP4702825
Aktenzeichen: EP24718164
Anmeldetag: 8. April 2024
Veröffentlichung: 4. März 2026
Rechtsraum: EP
IPC: H10N30/073H01L21/18

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: SOITEC
Land: 🇫🇷 Frankreich

🇫🇷 Soitec

Französischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Bernin, spezialisiert auf Silicon-on-Insulator (SOI) Substrate. Patente decken Halbleitermaterialien und Waferbondtechnik ab.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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