Kompensation von Spannungsoffset in einem Speicher

EP4706044 Art A1 11. März 2026

Anmelder: Micron Technology, Inc. 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: EP4706044
Aktenzeichen: EP24800418
Anmeldetag: 30. April 2024
Veröffentlichung: 11. März 2026
Rechtsraum: EP
IPC: G11C11/22

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Micron Technology, Inc.
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 Micron Technology

US-amerikanisches Halbleiterunternehmen mit Sitz in Boise, Idaho. Micron entwickelt und fertigt Speicherchips wie DRAM und NAND-Flash sowie Speicherlösungen für Computer, Mobilgeräte, Rechenzentren und Automobile.

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Fachgebiete

Akustik, Musik & Datenspeicherung

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