Halbleiterbauelemente mit Selektiv Dotierter Gate-Elektrodenstruktur
EP4706100
Art A1
11. März 2026
Anmelder: Texas Instruments Incorporated 🇺🇸
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP4706100
- Aktenzeichen
- EP24719790
- Anmeldetag
- 21. März 2024
- Veröffentlichung
- 11. März 2026
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L29/06H01L29/423H01L29/49H01L29/78H01L21/336
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Texas Instruments Incorporated
- Land
- 🇺🇸 USA
🇺🇸
Texas Instruments
US-amerikanisches Halbleiterunternehmen mit Sitz in Dallas (Texas). Entwickelt und fertigt analoge und eingebettete Halbleiterprodukte, Prozessoren sowie Schaltkreise für Industrie, Automobil- und Konsumelektronik.
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