Halbleiterbauelement und Herstellungsverfahren dafür sowie Elektronische Vorrichtung

EP4708294 Art A1 11. März 2026

Anmelder: Beijing Superstring Academy of Memory Technology 🇨🇳

Details

Veröffentlichungs-Nr.: EP4708294
Aktenzeichen: EP24861451
Anmeldetag: 26. Februar 2024
Veröffentlichung: 11. März 2026
Rechtsraum: EP
IPC: G11C5/06

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Beijing Superstring Academy of Memory Technology
Land: 🇨🇳 China

🇨🇳 Beijing Superstring Academy of Memory Technology

Die Beijing Superstring Academy of Memory Technology ist eine 2020 gegründete chinesische Forschungseinrichtung mit Sitz in Peking, die neue Speicherzellarchitekturen für zukünftige DRAM-Technologien entwickelt. Das Patentportfolio konzentriert sich nahezu vollständig auf Halbleiter- und elektrische Bauelemente sowie Datenspeichertechnik. Die noch junge Patenttätigkeit stammt aus den Jahren 2021 bis 2025.

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Fachgebiete

Akustik, Musik & Datenspeicherung

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