Lateral Orientierter Transistor, der in einem Halbleitermaterial Ausgebildet Ist, und Entsprechendes Halbleitergehäuse
Anmelder: Nexperia B.V. 🇳🇱
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP4712728
- Anmeldetag
- 17. September 2025
- Veröffentlichung
- 18. März 2026
- Rechtsraum
- EP
Abstract
A lateral oriented transistor embodied in a semiconductor material, comprising a first group of directly adjacently placed transistor cells, a second group of directly adjacently placed transistor cells, wherein said second group is spaced apart from said first group thereby providing a spacing, wherein each of said transistor cells comprises a drain, a source and a gate, wherein said lateral oriented transistor further comprises a gate interconnect placed in said spacing between said first and second group, wherein said gate interconnect connects to said gates of said transistor cells
Anmelder
- Firma
- Nexperia B.V.
- Land
- 🇳🇱 Niederlande
Der Anmelder ist ein niederländischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Nijmegen, der als Ausgründung aus NXP Semiconductors hervorging. Das Patentportfolio konzentriert sich stark auf Halbleiter- und Elektrobauelemente, ergänzt durch Elektronik, Schaltungstechnik und elektrische Energietechnik. Anmeldungen laufen seit 2009 durchgehend fort.
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