Speichervorrichtung und Betriebsverfahren dafür

EP4718267 1. April 2026

Anmelder: Yangtze Memory Technologies Co., Ltd. 🇨🇳

Details

Veröffentlichungs-Nr.
EP4718267
Anmeldetag
7. Juni 2023
Veröffentlichung
1. April 2026
Rechtsraum
EP
IPC
G11C16/10, G11C7/10, G06F12/02G06F12/02(BINFET JEREMY et al.)(ILANI ISHAI et al.)(KANG SUKEUN et al.)
Offizieller Volltext

Abstract

disclosure and the accompanying drawings, or direct/indirect application in all other relevant technical fields, are included in the patent protection scope of the present disclosure.

Anmelder

Firma
Yangtze Memory Technologies Co., Ltd.
Land
🇨🇳 China
🇨🇳 Yangtze Memory Technologies

Chinesisches Unternehmen aus Wuhan, das NAND-Flash-Speicherchips entwickelt und produziert.

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