Volumenschallwellenvorrichtung und Verfahren zur Formung davon
Anmelder: QORVO US, INC. 🇺🇸
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP4718719
- Anmeldetag
- 16. September 2025
- Veröffentlichung
- 1. April 2026
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- (QORVO US INC et al.)
Abstract
A method for forming a BAW device. The BAW device includes forming a dielectric layer over a reflector structure, forming an electrode seed material layer over the dielectric layer, forming an electrode material layer over the electrode seed material layer, patterning the electrode material layer to form an electrode layer and to expose the reflector structure, and forming a connection layer in contact with the electrode layer and the reflector structure.
Anmelder
- Firma
- QORVO US, INC.
- Land
- 🇺🇸 USA
Qorvo US ist ein US-amerikanischer Halbleiterhersteller mit Sitz in North Carolina, spezialisiert auf HF-Bauelemente für Mobilfunk und Netzwerktechnik. Das Patentportfolio konzentriert sich auf Schaltungstechnik sowie Halbleiter und elektrische Bauelemente, ergänzt um Nachrichtentechnik. Anmeldungen stammen aus den Jahren 2011 bis 2025.
418 Patente in unserer Datenbank
Vertreten von
-
D Young & Co LLP
D Young & Co LLP · London