Verfahren zur Herstellung einer Hochdichten Elektrischen Verbindungsstruktur
Anmelder: Commissariat à l'Energie Atomique et aux Energies Alternatives 🇫🇷
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP4719027
- Anmeldetag
- 23. September 2025
- Veröffentlichung
- 1. April 2026
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H10W20/00
Abstract
L'invention concerne un procédé de fabrication d'une structure d'interconnexion électrique (1) comprenant une étape de mise à disposition (E0) d'une structure initiale (10) comprenant un substrat (3), un élément inférieur (2) électriquement conducteur, une cavité (20) ménagée dans le substrat (3) et présentant une paroi interne (23) définissant intérieurement un accès à l'élément inférieur (2), et une couche électriquement isolante (30) ; une étape de formation (E1) d'un élément d'interconnexion (40) dans la cavité (20) ; et une étape de polissage finale (E3), dans laquelle une portion de l'élément d'interconnexion (40) et au moins une partie de la couche électriquement isolante (30) sont retirées simultanément par polissage mécanochimique par l'intermédiaire d'un agent de polissage final, formant ainsi la structure d'interconnexion électrique (1).
Anmelder
- Firma
- Commissariat à l'Energie Atomique et aux Energies Alternatives
- Land
- 🇫🇷 Frankreich
Französisches staatliches Forschungsinstitut mit Sitz in Paris (Verwaltung) und Standorten wie Grenoble und Saclay. Forscht in Kernenergie, erneuerbaren Energien, Mikroelektronik, Werkstoffwissenschaften, Verteidigungstechnik und Informationstechnologien.
5.929 Patente in unserer Datenbank
Vertreten von
-
Germain Maureau
Germain Maureau · Lyon