Vorrichtung zur Ansteuerung eines Ultraschall-Transducers und Ultraschall-Messvorrichtung mit einer Derartigen Ansteuervorrichtung für den Ultraschall-Transducer
Anmelder: Elmos Semiconductor SE 🇩🇪
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP4721880
- Anmeldetag
- 31. März 2023
- Veröffentlichung
- 8. April 2026
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- B06B1/02
Abstract
Vorrichtung zur Ansteuerung eines Ultraschall-Transducers und zur Auswertung von von dem Ultraschall-Transducer gelieferten Messsignalen, mit - einer integrierten Schaltung (12), die zwei nach außen geführte IC-Anschlüsse (16) zur elektrischen Verbindung mit einem Ultraschall-Transducer (10) aufweist, - wobei an die IC-Anschlüsse (16) der integrierten Schaltung (12) zum Aussenden eines Ultraschall-Burstsignals in einer Ansteuerphase eine alternierend umpolbare Ansteuerspannung angelegt wird und an den IC-Anschlüssen (16) der integrierten Schaltung (12) bei Empfang eines Ultraschall-Echosignals in einer Empfangsphase eine von dem Ultraschall-Transducer ausgegebene Auswertespannung anliegt, - wobei die Auswertespannung im Niedervoltbereich von mehr als 0 V und bis zu einigen wenigen Volt, insbesondere bis zu 10 V oder bis zu 8 V oder bis zu 5 V oder bis zu 3,3 V oder bis zu 1,8 V liegt und die Ansteuerspannung im Hochvoltbereich liegt, der Spannungen umfasst, die um bis zu zwei Zehnerpotenzen größer sind als die des Niedervoltbereichs, - einer als Bestandteil der integrierten Schaltung (12) ausgebildeten Ansteuereinheit (23) zur Erzeugung der Ansteuerspannung, wobei die Ansteuereinheit (23) mit einer zwischen einem Versorgungspotential (VDD) und einem Bezugspotential (44), insbesondere Masse, angeordneten Vollbrückenschaltung (24) mit zwei jeweils zwei Ansteuer-Halbleiterschalter (28) aufweisende Halbbrückenschaltungen (26) versehen ist, deren beide jeweils zwei Ansteuer-Halbleiterschalter (28) verbindende Schaltungsknoten (32) mit den beiden IC-Anschlüssen (16) der integrierten Schaltung (12) elektrisch verbunden sind, - einer als Bestandteil der integrierten Schaltung (12) ausgebildeten Auswerteeinheit (49) mit einem Auswertespannungen in dem Niedervoltbereich verarbeitenden Verstärker (50) mit zwei Eingangsanschlüssen (52, 54), die mit den beiden IC-Anschlüssen (16) der integrierten Schaltung (12) elektrisch verbunden sind, - einem als Bestandteil der integrierten Schaltung (12) ausgebildeten Spannungsbegrenzungselement (56) in jeder elektrischen Verbindung (46', 48') zwischen den Eingangsanschlüssen (52, 54) des Verstärkers (50) und den beiden IC-Anschlüssen (16) der integrierten Schaltung (12), wobei beide Spannungsbegrenzungselemente (56) die an den Eingangsanschlüssen (52, 54) des Verstärkers (50) anliegende Spannung auf einen Wert in dem Niedervoltbereich begrenzen, - einer als Bestandteil der integrierten Schaltung (12) ausgebildeten Steuereinheit (30) zur Ansteuerung der Ansteuer- Halbleiterschalter (28), - wobei zum Anlegen der Steuerspannung an die IC-Anschlüsse (16) der integrierten Schaltung von den vier Ansteuer-Halbleiterschaltern (28) wechselweise jeweils zwei Ansteuer-Halbleiterschalter (28) eingeschaltet sowie jeweils zwei Ansteuer-Halbleiterschalter (28) ausgeschaltet sind und - wobei zum Auswerten einer an den IC-Anschlüssen (16) der integrierten Schaltung (12) anliegenden Auswertespannung die vier Ansteuer-Halbleiterschalter (28) ausgeschaltet sind.
Anmelder
- Firma
- Elmos Semiconductor SE
- Land
- 🇩🇪 Deutschland
Elmos Semiconductor ist ein deutscher Halbleiterhersteller mit Sitz in Dortmund, spezialisiert auf integrierte Schaltungen für die Automobilindustrie. Das Patentportfolio konzentriert sich auf Mess-, Prüf- und Zeitmesstechnik sowie Elektronik- und Kommunikationstechnik.
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