Siliziumintegrierte Photonische Iii-V-Vorrichtung

Details

Veröffentlichungs-Nr.

EP4722771

Anmeldetag

30. September 2025

Veröffentlichung

8. April 2026

Rechtsraum

EP

IPC

G02B6/12, G02B6/122(YUN HAN et al.)(BIAN YUSHENG et al.)

Abstract

L'invention a pour objet un objet un dispositif photonique comprenant : - un premier guide d'onde ayant un cœur en un matériau semi-conducteur de type III-V ; - un second guide d'onde ayant un cœur en silicium ; - une structure de couplage comprenant : ∘ un premier prolongement du cœur du premier guide d'onde ; ∘ un second prolongement du cœur du second guide d'onde disposé au-dessous dudit premier prolongement et disposé au regard dudit premier prolongement ; ∘ une structure d'enrobage en un matériau d'enrobage ayant un indice de réfraction compris entre : d'une part l'indice de réfraction du silicium ; et d'autre part l'indice de réfraction le plus élevé dans le cœur du second guide d'onde ; la structure d'enrobage étant disposée entre le second prolongement et le premier prolongement au moins selon la direction d'empilement.

Anmelder

Firma

Commissariat à l'Energie Atomique et aux Energies Alternatives

Land

🇫🇷 Frankreich