Leseverstärker und Messverfahren Dafür, Speichervorrichtung und Datenleseverfahren dafür sowie Elektronische Vorrichtung

EP4723119 25. September 2025

Anmelder: Beijing Superstring Academy of Memory Technology 🇨🇳

Details

Veröffentlichungs-Nr.
EP4723119
Anmeldetag
27. September 2024
Veröffentlichung
25. September 2025
Rechtsraum
EP
Offizieller Volltext

Abstract

The present disclosure relates to a sense amplifier and a sensing method thereof, a storage device and a data reading method therefor, and an electronic device. The sense amplifier (1) is configured to be connected to a bit line (BL) to read data stored in a storage unit (U). The sense amplifier (1) comprises a charge integrator (11) and a secondary amplifier (12). The charge integrator (11) is correspondingly connected to the storage unit (U) by means of the bit line (BL), and is configured to: measure the total amount of charge flowing into or out of the bit line (BL) under a stable bit line (BL) voltage, and convert the total amount of charge into a voltage as an initial read signal. The secondary amplifier (12) is connected to an output end of the charge integrator (11) and is configured to: compare the initial read signal with a reference signal so as to output a data read signal on the basis of a comparison result between the initial read signal and the reference signal.

Anmelder

Firma
Beijing Superstring Academy of Memory Technology
Land
🇨🇳 China
🇨🇳 Beijing Superstring Academy of Memory Technology

Die Beijing Superstring Academy of Memory Technology ist eine 2020 gegründete chinesische Forschungseinrichtung mit Sitz in Peking, die neue Speicherzellarchitekturen für zukünftige DRAM-Technologien entwickelt. Das Patentportfolio konzentriert sich nahezu vollständig auf Halbleiter- und elektrische Bauelemente sowie Datenspeichertechnik. Die noch junge Patenttätigkeit stammt aus den Jahren 2021 bis 2025.

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