Eingangspuffer in Speicheranordnungen und Speichersystemen
EP4728517
5. März 2026
Anmelder: Yangtze Memory Technologies Co., Ltd. 🇨🇳
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP4728517
- Anmeldetag
- 30. August 2024
- Veröffentlichung
- 5. März 2026
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- G11C7/10, H03F1/42
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Yangtze Memory Technologies Co., Ltd.
- Land
- 🇨🇳 China
🇨🇳
Yangtze Memory Technologies
Chinesisches Unternehmen aus Wuhan, das NAND-Flash-Speicherchips entwickelt und produziert.
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