Vorrichtung und Verfahren zur Übertragerfreien Ansteuerung eines Ultraschalltransducers
Anmelder: Elmos Semiconductor SE 🇩🇪
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP4729983
- Anmeldetag
- 30. August 2018
- Veröffentlichung
- 22. April 2026
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- G01S7/524
Abstract
Betriebsschaltung für einen Transducer (TR) - mit einer Ansteuerschaltung (TS, C<bat>, T<1>, T<2>, T<3>, T<4>, T<5>) und - mit einer Transducer-Kapazität (C<TR>), - wobei die Ansteuerschaltung einen ersten Anschluss (GND) aufweist und - wobei die Ansteuerschaltung einen zweiten Anschluss (DRV) aufweist und - wobei die Ansteuerschaltung einen Treiberausgangswiderstand (R<DRV>) aufweist, der auch ganz oder teilweise durch den Ausgangswiderstand der Ansteuerschaltung an ihrem zweiten Ausgang (DRV) und/oder einen zusätzlichen Treiberausgangswiderstand, der in Serie zu ihrem zweiten Ausgang geschaltet ist, gebildet wird und - wobei ein positiver Anschluss (TR+) des Transducers (TR) so mit dem zweiten Anschluss (DRV) der Ansteuerschaltung verbunden ist, dass der Treiberausgangswiderstand (R<DRV>) wirkmäßig als zwischen dem positiven Anschluss (TR+) des Transducers (TR) und dem zweiten Anschluss (DRV) der Ansteuerschaltung geschaltet betrachtet werden kann, und - wobei ein negativer Anschluss (TR-) des Transducers (TR) mit dem ersten Anschluss (GND) der Ansteuerschaltung verbunden ist, - wobei die Betriebsschaltung eine Ausgangsinduktivität (L<DRV>) aufweist, die wirkmäßig als zwischen dem positiven Anschluss (TR+) des Transducers (TR) und dem zweiten Anschluss (DRV) der Ansteuerschaltung in Serie mit dem Treiberausgangswiderstand (R<DRV>) geschaltet betrachtet werden kann, und - wobei der Wert dieser Ausgangsinduktivität (L<DRV>) so bemessen ist, - dass ein erster Serienschwingkreis aus Serieninduktivität (L<TRS>) des Ersatzschaltbilds des Transducers (TR) und Serienkapazität (C<TRS>) des Ersatzschaltbilds des Transducers (TR) und - dass ein zweiter Serienschwingkreis aus Ausgangsinduktivität L<DRV> und der Parallelschaltung aus Transducer-Kapazität (C<TR>) und Parallelkapazität (C<TRp>) des Ersatzschaltbilds des Transducers (TR) kritisch gekoppelt sind, wobei ein durch den Transducer (TR) gegebener Transducer-Schwingkreis durch eine Transducer-Impedanz (Z<TR>) repräsentiert wird, ein Treiberausgangs-Schwingkreis durch eine Treiberausgangsimpedanz (Z<DRV>) repräsentiert wird der durch (Z<TR>) repräsentierte Transducer-Schwingkreis zusammen mit dem durch (Z<DRV>) repräsentierten Treiberausgangs-Schwingkreis einen Bandpass BPF bildet,
Anmelder
- Firma
- Elmos Semiconductor SE
- Land
- 🇩🇪 Deutschland
Elmos Semiconductor ist ein deutscher Halbleiterhersteller mit Sitz in Dortmund, spezialisiert auf integrierte Schaltungen für die Automobilindustrie. Das Patentportfolio konzentriert sich auf Mess-, Prüf- und Zeitmesstechnik sowie Elektronik- und Kommunikationstechnik.
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