Struktur mit Teilen mit Unterschiedlichen Germaniumkonzentrationen und Zugehörige Verfahren

EP4734696 29. April 2026

Anmelder: GlobalFoundries U.S. Inc. 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.
EP4734696
Anmeldetag
3. April 2025
Veröffentlichung
29. April 2026
Rechtsraum
EP
Offizieller Volltext

Abstract

The disclosure provides a structure base portions having different germanium concentrations, and related methods. A structure of the disclosure includes a base region including a first portion on a first emitter/collector (E/C) terminal and including germanium (Ge). A Ge concentration in the first portion varies with respect to distance from the first E/C terminal. A second portion is on the first portion and includes Ge. A third portion is between the second portion and a second E/C terminal and includes Ge. A Ge concentration in the third portion varies with respect to distance between the second portion and the second E/C terminal.

Anmelder

Firma
GlobalFoundries U.S. Inc.
Land
🇺🇸 USA
🇺🇸 GlobalFoundries U.S.

US-amerikanisches Unternehmen, das als Halbleiter-Auftragsfertiger (Foundry) Chips für andere Unternehmen produziert, darunter Prozessoren und Speicherbausteine für Elektronik-, Automobil- und Kommunikationsanwendungen.

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