Struktur mit Teilen mit Unterschiedlichen Germaniumkonzentrationen und Zugehörige Verfahren
Anmelder: GlobalFoundries U.S. Inc. 🇺🇸
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP4734696
- Anmeldetag
- 3. April 2025
- Veröffentlichung
- 29. April 2026
- Rechtsraum
- EP
Abstract
The disclosure provides a structure base portions having different germanium concentrations, and related methods. A structure of the disclosure includes a base region including a first portion on a first emitter/collector (E/C) terminal and including germanium (Ge). A Ge concentration in the first portion varies with respect to distance from the first E/C terminal. A second portion is on the first portion and includes Ge. A third portion is between the second portion and a second E/C terminal and includes Ge. A Ge concentration in the third portion varies with respect to distance between the second portion and the second E/C terminal.
Anmelder
- Firma
- GlobalFoundries U.S. Inc.
- Land
- 🇺🇸 USA
US-amerikanisches Unternehmen, das als Halbleiter-Auftragsfertiger (Foundry) Chips für andere Unternehmen produziert, darunter Prozessoren und Speicherbausteine für Elektronik-, Automobil- und Kommunikationsanwendungen.
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