Verfahren zur Herstellung einer Monolithisch Integrierten Schaltung, Z.b. auf Galliumnitridbasis, und Entsprechende Integrierte Schaltung

Details

Veröffentlichungs-Nr.

EP4739061

Anmeldetag

22. Oktober 2025

Veröffentlichung

6. Mai 2026

Rechtsraum

EP

Abstract

Procédé de fabrication d'un circuit intégré monolithique, comprenant une réalisation de blocs fonctionnels (BF1, BF2) au sein et au-dessus d'au moins un matériau semiconducteur large bande disposé sur un substrat de silicium, une réalisation de parties d'interconnexion mutuellement séparées (BEOL1, BEOL2) au-dessus des blocs fonctionnels, une séparation des blocs fonctionnels, et une réalisation d'une liaison électriquement conductrice entre le substrat et une plage de contact située sur une face supérieure de la partie d'interconnexion associée à un bloc fonctionnel. La séparation (C2) des blocs fonctionnels et la réalisation (C1) de ladite liaison électriquement conductrice sont effectuées après la réalisation des parties d'interconnexion mutuellement séparées.

Anmelder

Firma

STMicroelectronics International N.V.

Land

🇨🇭 Schweiz