Dielektrisches Element und Verfahren zur Herstellung davon
EP4742877
9. Januar 2025
Anmelder: National Institute of Advanced Industrial Science and Technology 🇯🇵
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP4742877
- Anmeldetag
- 5. Juli 2024
- Veröffentlichung
- 9. Januar 2025
- Rechtsraum
- EP
Abstract
This dielectric element includes a substrate, an underlayer disposed on the substrate, and a nitride thin film disposed on the underlayer, the underlayer is composed of any one element selected from rare earth elements, and the nitride thin film contains scandium, and a Group 13 element and a Group 15 element in the periodic table.
Anmelder
- Firma
- National Institute of Advanced Industrial Science and Technology
- Land
- 🇯🇵 Japan
🇯🇵
National Institute of Advanced Industrial Science and Technology
Staatliches japanisches Forschungsinstitut (AIST), das breit angelegte angewandte Forschung in Bereichen wie Materialwissenschaft, Energie, Elektronik und Biotechnologie betreibt.
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