Verfahren zum Chemischen Polieren von Siliziumplatten
Anmelder: Commissariat à l'Energie Atomique et aux Energies Alternatives 🇫🇷
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP4746641
- Anmeldetag
- 10. November 2025
- Veröffentlichung
- 20. Mai 2026
- Rechtsraum
- EP
Abstract
L'invention porte sur un procédé de polissage chimique pour obtenir un lot de plaques lissées. Il comporte une fourniture de plusieurs plaques de silicium comprenant chacune une face de découpe, une mesure d'une réflectivité diffuse de la face de découpe de chaque plaque de silicium, une sélection d'un ensemble de plaques parmi les plaques fournies ayant leur réflectivité diffuse inférieure ou égale à un seuil de réflectivité prédéterminé, et une gravure humide anisotrope de l'ensemble de plaques selon des plans cristallins du silicium pour obtenir le lot de plaques lissées. Le seuil de réflectivité prédéterminé garantit un dépôt conforme d'une couche mince sur la face de découpe de chaque plaque du lot de plaques lissées.
Anmelder
- Firma
- Commissariat à l'Energie Atomique et aux Energies Alternatives
- Land
- 🇫🇷 Frankreich
Französisches staatliches Forschungsinstitut mit Sitz in Paris (Verwaltung) und Standorten wie Grenoble und Saclay. Forscht in Kernenergie, erneuerbaren Energien, Mikroelektronik, Werkstoffwissenschaften, Verteidigungstechnik und Informationstechnologien.
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Vertreten von
-
Santarelli