Gate-Rundum-Halbleiterstruktur und Verfahren zu Ihrer Herstellung
EP4751527
30. Januar 2025
Anmelder: SOITEC 🇫🇷
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP4751527
- Anmeldetag
- 11. Juni 2024
- Veröffentlichung
- 30. Januar 2025
- Rechtsraum
- EP
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- SOITEC
- Land
- 🇫🇷 Frankreich
🇫🇷
Soitec
Französischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Bernin, spezialisiert auf Silicon-on-Insulator (SOI) Substrate. Patente decken Halbleitermaterialien und Waferbondtechnik ab.
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