Leistungsmodul

Details

Veröffentlichungs-Nr.

EP4753136

Anmeldetag

28. Oktober 2025

Veröffentlichung

3. Juni 2026

Rechtsraum

EP

Abstract

Die Erfindung betrifft ein Leistungsmodul (1), wobei das Leistungsmodul (1) einen Träger (2) aufweist, wobei der Träger (2) eine Isolationsschicht (3) und eine strukturierte Metallisierung (4) auf einer Oberseite der Isolationsschicht (3) aufweist, wobei auf einer ersten Struktur der Metallisierung (4) mindestens ein planarer bidirektionaler GaN-Transistor (9) angeordnet ist, der ein Silizium-Substrat (12) aufweist, wobei der bidirektionale GaN-Transistor (9) einen ersten Anschluss (16) und einen zweiten Anschluss (17) sowie wie Gate-Anschlüsse (G1, G2) aufweist, wobei der erste Anschluss (16) mit einer zweiten Struktur (7) und der zweite Anschluss (17) mit einer dritten Struktur (8) der Metallisierung (4) elektrisch verbunden ist, wobei die erste, zweite und dritte Struktur (6-8) voneinander elektrisch isoliert sind, wobei zwischen der ersten Struktur (6) und der zweiten Struktur (7) und der ersten Struktur (6) und der dritten Struktur (8) mindestens ein Bauelement angeordnet ist, mittels dessen die erste Struktur (6) auf ein definiertes Potential festgelegt wird.

Anmelder

Firma

Volkswagen Aktiengesellschaft

Land

🇩🇪 Deutschland