Halbleiterpixel mit Beugungsgitter und Interferometrischem Filter, Bildsensor

Details

Veröffentlichungs-Nr.

EP4753406

Anmeldetag

13. November 2025

Veröffentlichung

3. Juni 2026

Rechtsraum

EP

Abstract

Un capteur d'images est constitué de pixels rétroéclairés (110) formés dans et sur un substrat semiconducteur (101). Un rayonnement dans le domaine infrarouge proche atteint le photodétecteur rétroéclairé (112) des pixels via une surface éclairée supérieure (102) du photodétecteur. Une structure hybride combinant réseau de diffraction (114) au niveau de cette surface supérieure et filtre interférométrique à couches non-régulières (115) déposé sur le réseau de diffraction permet de piéger les photons dans le silicium du photodétecteur. Le rayonnement est diffracté dans le photodétecteur avec un angle suffisant pour qu'après réflexion sur des tranchées (113) isolant les photodétecteurs adjacents et sur la couche métallique (111) déposée sur la surface opposée du photodétecteur rétroéclairé, il soit réfléchi par le filtre interférométrique. Les photons sont piégés dans le substrat ; leur absorption et donc le rendement quantique du pixel rétroéclairé sont améliorés.

Anmelder

Firma

STMicroelectronics International N.V.

Land

🇨🇭 Schweiz