Verfahren zur Behandlung einer Kristallinen Siliziumscheibe für Photovoltaik

Details

Veröffentlichungs-Nr.

EP4753408

Anmeldetag

25. November 2025

Veröffentlichung

3. Juni 2026

Rechtsraum

EP

IPC

H10F71/10, H10F71/00

Abstract

L'invention concerne un procédé de traitement d'une plaquette de silicium cristallin conduisant à une réduction de la densité de défauts Bore-Oxygène qui augmentent la sensibilité à l'illumination, qui comprend une étape i) de chauffage de la plaquette de silicium cristallin à une température appartenant à la gamme allant de 650°C à 1200°C, où l'étape i) est suivie d'une étape ii) de refroidissement ultra-rapide qui démarre alors que la plaquette de silicium cristallin est encore à une température de 600°C au moins, et, lors de laquelle, la température de la plaquette de silicium cristallin est abaissée selon une vitesse de refroidissement de 150 à 2000 °C/s, jusqu'à atteindre une température de 400°C ou moins. L'invention concerne également les plaquettes de silicium cristallin, les procédés de fabrication d'une cellule photovoltaïque et les cellules photovoltaïques correspondants.

Anmelder

Firma

Commissariat à l'Energie Atomique et aux Energies Alternatives

Land

🇫🇷 Frankreich