Elektrische Sicherung mit einer Sicherungsverbindung Entlang Seitenwänden einer Inaktiven Gate-Struktur
Anmelder: GlobalFoundries U.S. Inc. 🇺🇸
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP4756875
- Anmeldetag
- 4. Juni 2025
- Veröffentlichung
- 10. Juni 2026
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L23/525, H10D84/08
Abstract
An electronic fuse includes an inactive gate structure over a substrate, and a fuse link along at least one sidewall of the inactive gate structure. A first terminal is at a first end of the fuse link, and a second terminal is at a second of the fuse link. The fuse link takes the form of a conductive metal spacer along at least one sidewall of the inactive gate structure and can be formed without a silicide process. Although the e-fuse can be used with any semiconductor device, it is advantageous for use with, for example, III-IV semiconductor devices. The method of making the e-fuse does not require any additional masks and provides a fuse link having a sub-photolithographic width dimension.
Anmelder
- Firma
- GlobalFoundries U.S. Inc.
- Land
- 🇺🇸 USA
US-amerikanisches Unternehmen, das als Halbleiter-Auftragsfertiger (Foundry) Chips für andere Unternehmen produziert, darunter Prozessoren und Speicherbausteine für Elektronik-, Automobil- und Kommunikationsanwendungen.
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