Verfahren zur Schichtdickenkorrektur

EP4757180 10. Juni 2026

Anmelder: Commissariat à l'Energie Atomique et aux Energies Alternatives 🇫🇷

Details

Veröffentlichungs-Nr.
EP4757180
Anmeldetag
1. Dezember 2025
Veröffentlichung
10. Juni 2026
Rechtsraum
EP
IPC
H03H3/02, H10N30/071
Offizieller Volltext

Abstract

L'invention concerne un procédé de correction d'épaisseur comprenant successivement une étape de mise à disposition (E0) d'un substrat support (5) comprenant une couche mince (10), ladite couche mince (10) présentant une surface (s10) s'étendant jusqu'à un bord périphérique (b10) ; une étape de gravure (E2), dans laquelle la couche mince (10) est gravée sélectivement par bombardement d'ions localisé, de sorte qu'une épaisseur (e10) de ladite couche mince (10) varie progressivement depuis un centre (C10) la couche mince (10) vers le bord périphérique (b10) ; et une étape de planarisation (E3), dans laquelle la couche mince (10) est polie par polissage mécanochimique, de sorte qu'à l'issue de l'étape de planarisation (E3), la couche mince (10) présente une épaisseur sensiblement constante.

Anmelder

Firma
Commissariat à l'Energie Atomique et aux Energies Alternatives
Land
🇫🇷 Frankreich
🇫🇷 CEA (Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives)

Französisches staatliches Forschungsinstitut mit Sitz in Paris (Verwaltung) und Standorten wie Grenoble und Saclay. Forscht in Kernenergie, erneuerbaren Energien, Mikroelektronik, Werkstoffwissenschaften, Verteidigungstechnik und Informationstechnologien.

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