Verfahren zur Schichtdickenkorrektur
Anmelder: Commissariat à l'Energie Atomique et aux Energies Alternatives 🇫🇷
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP4757180
- Anmeldetag
- 1. Dezember 2025
- Veröffentlichung
- 10. Juni 2026
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H03H3/02, H10N30/071
Abstract
L'invention concerne un procédé de correction d'épaisseur comprenant successivement une étape de mise à disposition (E0) d'un substrat support (5) comprenant une couche mince (10), ladite couche mince (10) présentant une surface (s10) s'étendant jusqu'à un bord périphérique (b10) ; une étape de gravure (E2), dans laquelle la couche mince (10) est gravée sélectivement par bombardement d'ions localisé, de sorte qu'une épaisseur (e10) de ladite couche mince (10) varie progressivement depuis un centre (C10) la couche mince (10) vers le bord périphérique (b10) ; et une étape de planarisation (E3), dans laquelle la couche mince (10) est polie par polissage mécanochimique, de sorte qu'à l'issue de l'étape de planarisation (E3), la couche mince (10) présente une épaisseur sensiblement constante.
Anmelder
- Firma
- Commissariat à l'Energie Atomique et aux Energies Alternatives
- Land
- 🇫🇷 Frankreich
Französisches staatliches Forschungsinstitut mit Sitz in Paris (Verwaltung) und Standorten wie Grenoble und Saclay. Forscht in Kernenergie, erneuerbaren Energien, Mikroelektronik, Werkstoffwissenschaften, Verteidigungstechnik und Informationstechnologien.
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Vertreten von
-
Germain Maureau
Germain Maureau · Lyon