Antiferromagnetisches Körpermaterial, Zweischichtiger Film aus Magnetischem Körper und Isolator, Magnetoresistives Tunnelelement und Magnetischer Speicher
Anmelder: JSR Corporation, The University of Tokyo, Tohoku University 🇯🇵
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP4757565
- Anmeldetag
- 26. Juli 2024
- Veröffentlichung
- 6. Februar 2025
- Rechtsraum
- EP
Abstract
This antiferromagnetic body material has a hexagonal crystal structure, and comprises: an antiferromagnetic layer formed of Mn<sub>3</sub>A<sub>1-x</sub>B<sub>x</sub> (0<x<0.5, A=Ga, Ge, Sn, and B=Mg, Al, Si, P, Mn, Ni, Cu, Zn, As, Ru, Ag, Cd, In, Sb, Os, Au, Hg, Tl, Pb) or (Mn<sub>1-p</sub>Cr<sub>p</sub>)<sub>3</sub>Ga<sub>q</sub>Ge<sub>r</sub>Sn<sub>1-q-r</sub> (0<p<0.5, 0<q<1, 0<r<1, and 0<q+r≤1); and an insulator layer laminated on the surface of the same. Preferably, A represents at least one of Ga and Sn. In addition, preferably, B represents at least one of Mg, Al, Si, Mn, Cu, Zn, Ag, Cd, In, Sb, Au, and Tl.
Anmelder
- Firmen
- JSR Corporation
The University of Tokyo
Tohoku University - Land
- 🇯🇵 Japan
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