Verfahren zur Herstellung einer Leuchtdiode
Anmelder: Commissariat à l'Energie Atomique et aux Energies Alternatives 🇫🇷
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP4761527
- Anmeldetag
- 27. Oktober 2025
- Veröffentlichung
- 17. Juni 2026
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H10H20/01, H10H20/815
Abstract
L'invention concerne un procédé de fabrication d'une diode électroluminescente comprenant :- disposer d'un substrat en saphir ;- déposer une couche intermédiaire épitaxiée sur le substrat en nitrure de métaux de transition choisis parmi : TiN, ZrN, HfN, NbN, TaN, VN, MoN, WN, CrN ;- déposer une couche tampon sur la couche intermédiaire de manière à obtenir une couche épitaxiée, la couche tampon étant en Al<sub>x</sub>Ga<sub>1-x</sub>N avec 0≤x≤1 ;- déposer, sur la couche tampon, un empilement de diode électroluminescente comprenant une couche active, et une couche d'injection de part et d'autre de la couche active ;- coller un substrat de report sur l'empilement grâce à une couche de collage ; et- effectuer un détachement par laser du substrat en appliquant un rayon laser à travers le substrat et la couche intermédiaire, le rayon laser ayant une longueur d'onde d'émission absorbée par la couche intermédiaire.
Anmelder
- Firma
- Commissariat à l'Energie Atomique et aux Energies Alternatives
- Land
- 🇫🇷 Frankreich
Französisches staatliches Forschungsinstitut mit Sitz in Paris (Verwaltung) und Standorten wie Grenoble und Saclay. Forscht in Kernenergie, erneuerbaren Energien, Mikroelektronik, Werkstoffwissenschaften, Verteidigungstechnik und Informationstechnologien.
5.929 Patente in unserer Datenbank
Vertreten von
-
Atout PI Laplace