Grabenisolationsauskleidung für Transistorvorrichtungen
EP4761557
17. Juni 2026
Anmelder: Intel Corporation 🇺🇸
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP4761557
- Anmeldetag
- 17. Oktober 2025
- Veröffentlichung
- 17. Juni 2026
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H10W10/17
Abstract
In some embodiments, a trench isolation structure is formed from a first layer with enough carbon to sufficiently resist a dielectric etching process and a second, outer layer with surface wetting properties that allow it to adhere with the dielectric material that is to be etched.
Anmelder
- Firma
- Intel Corporation
- Land
- 🇺🇸 USA
🇺🇸
Intel
US-amerikanischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Kalifornien. Entwickelt und produziert Prozessoren, Chipsätze sowie weitere Halbleiterkomponenten für Computer, Server und eingebettete Systeme.
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