Stapeln von Bauelementen in Schichten Integrierter Schaltungen mittels Hochgenauer Verbindung
Anmelder: INTEL Corporation 🇺🇸
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP4765122
- Anmeldetag
- 10. November 2025
- Veröffentlichung
- 24. Juni 2026
- Rechtsraum
- EP
Abstract
Device stacking in integrated circuit layers using high accuracy bonding is described. In an example, an integrated circuit structure includes a first device layer above a first interconnect structure, the first device layer including nanowire-based transistors or fin-based transistors. The integrated circuit structure includes a second device layer below a second interconnect structure, the second device layer including nanowire-based transistors or fin-based transistors, and the second interconnect structure bonded directly to the first interconnect structure.
Anmelder
- Firma
- INTEL Corporation
- Land
- 🇺🇸 USA
US-amerikanischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Kalifornien. Entwickelt und produziert Prozessoren, Chipsätze sowie weitere Halbleiterkomponenten für Computer, Server und eingebettete Systeme.
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Boehmert & Boehmert geht auf die Zulassung von Dr. Karl Boehmert 1931 in Berlin zurück. Mit Standorten in Deutschland, Alicante, Paris und Shanghai bietet die Kanzlei IP aus einer Hand und legt besonderen Wert auf persönliche Mandantenbetreuung statt Anonymität.