Galliumnitrid-Halbleiterbauelement mit Vertikalem Jfet und Lateralem Hemt
EP4766076
24. Juni 2026
Anmelder: Imec VZW 🇧🇪
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP4766076
- Anmeldetag
- 19. Dezember 2024
- Veröffentlichung
- 24. Juni 2026
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H10D30/01, H10D30/47
Abstract
A semiconductor device (100) for controlling a current flowing between a source terminal (102) and a drain terminal (104), as well as a method for forming such a device, is disclosed. The semiconductor device is formed from a layer stack of GaN layers, in which a vertical junction field-effect transistor, JFET, structure (120) and a lateral high electron mobility transistor, HEMT, structure (130) is provided to control the current.
Anmelder
- Firma
- Imec VZW
- Land
- 🇧🇪 Belgien
🇧🇪
imec
Imec ist ein belgisches Forschungszentrum mit Sitz in Leuven, das auf Nanoelektronik, Halbleitertechnologie und digitale Technologien spezialisiert ist.
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