Nichtflüchtiger Transistor, Anordnung aus Nichtflüchtigen Transistoren und Matrix von Nichtflüchtigen Transistoren

Details

Veröffentlichungs-Nr.

EP4770312

Anmeldetag

23. Dezember 2025

Veröffentlichung

1. Juli 2026

Rechtsraum

EP

Abstract

L'invention concerne un transistor (10) non-volatil comprenant une couche semi-conductrice ferroélectrique (11) comprenant un domaine ferroélectrique (12) présentant une polarisation électrique spontanée (13) pouvant prendre une pluralité d'états distincts, une source (14), une grille (15) et un drain (16). La source (14), la grille (15) et le drain (16) sont distants les uns des autres et agencés de sorte qu'un potentiel électrique appliqué entre la source (14) et la grille (15) applique un champ électrique sur le domaine ferroélectrique (12), le drain (16) étant en contact électrique avec la couche ferroélectrique (11), la source (14) formant, avec la couche ferroélectrique (11), une barrière Schottky (17) au niveau d'une interface entre la source (14) et la couche ferroélectrique (11) présentant une résistance électrique fonction de la polarisation électrique (13), le transistor étant tel que la couche semi-conductrice ferroélectrique (11) est dégénérée au niveau de l'interface entre la source (14) et la couche ferroélectrique (11) et la couche semi-conductrice ferroélectrique (11) présente une conductivité électrique indépendante de la polarisation spontanée (13).

Anmelder

Firmen

Commissariat à l'Energie Atomique et aux Energies Alternatives
Université Grenoble Alpes
Centre National de la Recherche Scientifique
Institut Polytechnique de Grenoble

Land

🇫🇷 Frankreich