Nichtflüchtige Speicher mit Variablem Widerstand, Zugehörige Verfahren und Anordnungen

Details

Veröffentlichungs-Nr.

EP4770313

Anmeldetag

22. Dezember 2025

Veröffentlichung

1. Juli 2026

Rechtsraum

EP

Abstract

L'invention concerne une mémoire (100) comprenant : - une électrode conductrice principale (120) formant une cathode ; - une électrode conductrice secondaire (130) formant une anode ; et - une couche ferroélectrique semiconductrice (110) formant une couche active, disposée entre la cathode et l'anode (120, 130), la couche active (110) présentant une polarisation ferroélectrique (111) présentant une pluralité d'états stables, la cathode (120) formant un contact principal avec la couche active (110), la résistance du contact principal variant de façon strictement monotone en fonction de la polarisation ferroélectrique (111), le comportement du contact principal formant, en fonction de la polarisation ferroélectrique (111) : - un contact ohmique pour un premier état stable de la pluralité d'états stables ; et - un contact Schottky pour au moins un deuxième état stable de la pluralité d'états stables, la couche active (110) étant dégénérée et présentant une bande d'énergie interdite inférieure à 1,5 eV.

Anmelder

Firmen

Commissariat à l'Energie Atomique et aux Energies Alternatives
Centre National de la Recherche Scientifique
Université Grenoble Alpes
Institut Polytechnique de Grenoble

Land

🇫🇷 Frankreich