Nitridmaterial, Piezoelektrischer Körper, Mems-Vorrichtung Damit, Nitridmaterial damit und Ferroelektrisches Element
Anmelder: National Institute of Advanced Industrial Science and Technology 🇯🇵
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP4773786
- Anmeldetag
- 29. August 2024
- Veröffentlichung
- 8. Mai 2025
- Rechtsraum
- EP
Abstract
[Object] To provide scandium-doped gallium nitride having a piezoelectric constant d<33> exceeding 14 pC/N, scandium-doped gallium nitride having a piezoelectric constant d<33> exceeding 16.9 pC/N, in particular a scandium-doped gallium nitride material having a higher piezoelectric constant d<33> than the maximum piezoelectric constant d<33> value (27.6 pC/N) of scandium-doped aluminum nitride, a piezoelectric body composed of the same, a MEMS device using the piezoelectric body, a nitride material thereof, a ferroelectric body composed of the same, an electronic device using the ferroelectric body, and a method for producing the scandium-doped gallium nitride. [Solution] A nitride material expressed by a chemical formula Sc<x>Ga<1-x>N, in which x is within a range of 0.39 or more and 0.54 or less, and a length of a c-axis in a crystal structure is within a range of 4.94×10<-10> m or more and less than 5.2×10<-10> m.
Anmelder
- Firma
- National Institute of Advanced Industrial Science and Technology
- Land
- 🇯🇵 Japan
Staatliches japanisches Forschungsinstitut (AIST), das breit angelegte angewandte Forschung in Bereichen wie Materialwissenschaft, Energie, Elektronik und Biotechnologie betreibt.
147 Patente in unserer Datenbank
Hamburger Kanzlei von Dr. Wieland Groth, befasst sich mit Patenten, Marken, Designs, Gebrauchsmustern und Arbeitnehmererfindungsrecht, betreut Anmeldungen und Vertretungen in Deutschland, Europa und international über ein Netzwerk ausländischer Kollegen.