Hochstromkontakt und Halbleiterleistungsrelais mit Hochstromkontakt

EP4776433 15. Juli 2026

Anmelder: Kliem, Thomas 🇩🇪

Details

Veröffentlichungs-Nr.
EP4776433
Anmeldetag
13. Januar 2025
Veröffentlichung
15. Juli 2026
Rechtsraum
EP
Offizieller Volltext

Abstract

Die Erfindung betrifft einen Hochstromkontakt (1) zur elektrischen Verbindung einer Leiterplatte (18, 20) eines Halbleiterleistungsrelais (24) mit einem externen Stromkreis, insbesondere dem Bordnetz eines Kraftfahrzeugs, gebildet aus einem dreidimensionalen Grundkörper (2), dessen Länge seine übrigen Abmessungen übersteigt, wobei der Grundkörper ein in Längsrichtung erstes freies Ende (3) und ein dem ersten freien Ende gegenüber liegendes zweites freies Ende (4) aufweist, wobei das erste freie Ende der elektrischen Verbindung mit der Leiterplatte dient und wobei das zweite freie Ende der elektrischen Verbindung mit dem externen Stromkreis dient, wobei das erste freie Ende mit polyedrischer Form, ausgebildet ist, dadurch gekennzeichnet, dass das erste freie Ende zur elektrischen Verbindung mit der Leiterplatte wenigstens zwei elektrisch leitfähige Kontaktelemente (8) aufweist, die sich jeweils von einer der Polyederfläche (6) des ersten freien Endes aus in voneinander verschiedene Raumrichtungen erstrecken. Ferner betrifft die Erfindung ein Halbleiterleistungsrelais mit wenigstens einem Hochstromkontakt gemäß der Erfindung sowie ein System.

Anmelder

Firma
Kliem, Thomas
Land
🇩🇪 Deutschland

Noch Fragen?

Wir helfen Ihnen gerne weiter. Schreiben Sie uns einfach.

Kontakt aufnehmen