Halbleiterleistungsrelais und Verfahren

Details

Veröffentlichungs-Nr.

EP4776761

Anmeldetag

13. Januar 2025

Veröffentlichung

15. Juli 2026

Rechtsraum

EP

Abstract

Die Erfindung betrifft ein Halbleiterleistungsrelais, insbesondere KFZ-Halbleiterleistungsrelais, mit wenigstens einem Gehäuse, einer im Inneren des Gehäuses angeordneten Leiterplatte aufweisend eine Leistungstransistorschaltung und einem teilweise im Gehäuse angeordneten Hochstromkontakt, welcher mit der Leiterplatte mittels eines ersten Kontaktelements leitungstechnisch verbunden ist, wobei der Hochstromkontakt über ein zweites Kontaktelement zur leitungstechnischen Verbindung der Leistungstransistorschaltung mit einer Leiterplatte eines externen Stromkreises, insbesondere dem Bordnetz eines Kraftfahrzeugs, verfügt, welches eine Vielzahl von Löt- und/oder Einpressstifte aufweist, wobei das zweite Kontaktelement durch eine erste Öffnung in der Wand des Gehäuses derart hindurch geführt ist, dass die Löt- und/oder Einpressstifte außerhalb des Gehäuses angeordnet sind. Ferner betrifft die Erfindung ein Verfahren zur Verbindung eines Halbleiterleistungsrelais mit einer Leiterplatte eines KFZ-Bordnetzes.

Anmelder

Firma

Kliem, Thomas

Land

🇩🇪 Deutschland