Halbleiteranordnung
Anmelder: Shindengen Electric Manufacturing Co., Ltd. 🇯🇵
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP4780160
- Anmeldetag
- 7. November 2024
- Veröffentlichung
- 15. Mai 2025
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H10D8/60, H10D62/10, H10D62/80
Abstract
[MEANS FOR SOLVING THE PROBLEM] There is provided a semiconductor device (100) comprising: an N-type gallium oxide crystal substrate (200); an electrode portion (400) provided on an outer surface of the gallium oxide crystal substrate; a P-type oxide semiconductor portion (210) that is in contact with the electrode portion and is provided on an inner surface of the gallium oxide crystal substrate; a high-resistance layer portion (610) provided on the inner surface of the gallium oxide crystal substrate and on an outer surface of the P-type oxide semiconductor portion; and an electrode portion (300) provided on the outer surface of the gallium oxide crystal substrate and electrically connected to none of the electrode portion, the P-type oxide semiconductor, or the high-resistance layer portion.
Anmelder
- Firma
- Shindengen Electric Manufacturing Co., Ltd.
- Land
- 🇯🇵 Japan
Shindengen Electric Manufacturing ist ein japanischer Hersteller von Leistungshalbleitern und Stromversorgungskomponenten, unter anderem für die Automobilindustrie. Das Patentportfolio konzentriert sich auf Halbleiter und elektrische Bauelemente sowie elektrische Energietechnik, ergänzt durch Elektronik und Fahrzeugtechnik. Anmeldungen erstrecken sich von 2000 bis 2025.
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Fachgebiete
Biesse S.r.l. (Marke Biesse Brevetti) mit Sitz in Brescia, berät zu Patenten, Marken und gewerblichen Schutzrechten. Ein Team aus Ingenieuren, Chemikern und Juristen unterstützt bei Anmeldung, Verteidigung und Lizenzierung, auch international über Korrespondenzkanzleien.