Galliumnitridfilm, Verfahren zur Herstellung Davon, Laminiertes Substrat, Halbleiterelement und Elektronische Vorrichtung
EP4782567
10. April 2025
Anmelder: Tosoh Corporation 🇯🇵
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP4782567
- Anmeldetag
- 1. Oktober 2024
- Veröffentlichung
- 10. April 2025
- Rechtsraum
- EP
Abstract
Provided are a gallium nitride film having high conductivity even if it is not heat-treated at a high temperature, a method for producing the same, a multi-layer substrate member, a semiconductor device, and an electronic apparatus; the gallium nitride film. The gallium nitride film is a gallium nitride film containing hydrogen. A content of the hydrogen may be 1.0 × 10<19> atoms/cm<3> or greater. The gallium nitride film may contain a dopant. A content of the dopant may be 1.0 × 10<20> atoms/cm<3> or greater.
Anmelder
- Firma
- Tosoh Corporation
- Land
- 🇯🇵 Japan
🇯🇵
Tosoh Corporation
Japanisches Chemieunternehmen, das Petrochemikalien, Spezialchemikalien und Zement herstellt.
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