Speicheranordnung zur Speicherung von Daten in Ternären Zellen mit Zwei Kodierungsebenen
Anmelder: MICRON TECHNOLOGY, INC. 🇺🇸
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP4790710
- Anmeldetag
- 4. Februar 2026
- Veröffentlichung
- 12. August 2026
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- G11C11/56, G11C13/00
Abstract
Systems, methods, and apparatus related to memory devices that store data. In one approach, a memory device includes at least one memory array having ternary memory cells. A controller stores data in pairs of the ternary cells. Each value in the data is stored by writing a respective pair of cells using a first level of coding. The controller defines a special value and identifies instances of the special value in the data. An additional bit is stored for each identified special value using a second level of coding.
Anmelder
- Firma
- MICRON TECHNOLOGY, INC.
- Land
- 🇺🇸 USA
US-amerikanisches Halbleiterunternehmen mit Sitz in Boise, Idaho. Micron entwickelt und fertigt Speicherchips wie DRAM und NAND-Flash sowie Speicherlösungen für Computer, Mobilgeräte, Rechenzentren und Automobile.
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